東莞市源林電子科技有限公司

壓敏電阻器,471壓敏電阻器,過(guò)壓保護(hù)|防雷：

熱敏電阻,NTC熱敏電阻,貼片熱敏電阻

壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，更專業(yè)

通流量（峰值電流）Im

通流容量(kA)也稱通流量，是指在規(guī)定的條件（規(guī)定的時(shí)間間隔和次數(shù)，施加標(biāo)準(zhǔn)的沖擊電流）下，允許通過(guò)壓敏電阻器上的脈沖（峰值）電流值。目前大多數(shù)廠家在說(shuō)明書(shū)中通常給出兩個(gè)通流量指標(biāo)，一個(gè)是沖擊一次的指標(biāo)，另一個(gè)是沖擊兩次（間隔5分鐘）的指標(biāo)。

源林電子壓敏電阻免費(fèi)取樣，一個(gè)電話搞定！

壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，品類豐富

ZnO是六方晶系纖鋅礦結(jié)構(gòu)，其化學(xué)鍵處于離子鍵與共價(jià)鍵的中間鍵型狀態(tài)，氧離子以六方密堆，鋅離子占據(jù)一半的四面體空隙，鋅和氧都是四面體配位。ZnO是相對(duì)開(kāi)放的晶體結(jié)構(gòu)，開(kāi)放的結(jié)構(gòu)對(duì)缺陷的性質(zhì)及擴(kuò)散機(jī)制有影響，所有的八面體間隙和一半的四面體間隙是空的，正負(fù)離子的配位數(shù)均為4，所以容易引入外部雜質(zhì)，ZnO熔點(diǎn)為2248，密度為5.6g/cm3，純凈的ZnO晶體，其能帶由02-的滿的2p電子能級(jí)和Zn2+的空的4s能級(jí)組成，禁帶寬度為3.2～3.4eV，因此，室溫下，滿足化學(xué)計(jì)量比的純凈ZnO應(yīng)是絕緣體，而ZnO中常見(jiàn)的缺陷是金屬填隙原子，所以它是金屬過(guò)剩(Zn1+xO)非化學(xué)計(jì)量比n型半導(dǎo)體。

Eda等認(rèn)為，在本征缺陷中，填隙鋅原子擴(kuò)散快，對(duì)壓敏電阻穩(wěn)定性有很大影響。

由于壓敏電阻型號(hào)太多，每個(gè)客戶的個(gè)性化需求不一。想了解更多壓敏電阻的信息，請(qǐng)撥打圖片中的咨詢電話與我們?cè)戳蛛娮勇?lián)系，謝謝！

壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，滿足個(gè)性化需求

ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富?。拢椤∠啵▓D?。常?。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測(cè)出來(lái)的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長(zhǎng)，而　ＴｉＯ２　 和?。拢幔稀t加速晶粒長(zhǎng)大。尖晶石和焦綠石相對(duì)晶粒長(zhǎng)大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的?。冢睿稀【ЯＪ恰。冢睿稀好綦娮璧幕緲?gòu)成單純?。冢睿稀∈蔷哂芯€性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學(xué)計(jì)量?。睢⌒桶雽?dǎo) 體。進(jìn)入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

源林電子壓敏電阻免費(fèi)取樣，一個(gè)電話搞定！

嵩隆壓敏電阻器、壓敏電阻器、源林電子(查看)由東莞市源林電子科技有限公司提供。“壓敏電阻,熱敏電阻,溫度傳感器”就選東莞市源林電子科技有限公司（www.iisou.com），公司位于：東莞市長(zhǎng)安鎮(zhèn)上沙社區(qū)北橫路8號(hào)，多年來(lái)，源林電子堅(jiān)持為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，聯(lián)系人：工程師。歡迎廣大新老客戶來(lái)電，來(lái)函，親臨指導(dǎo)，洽談業(yè)務(wù)。源林電子期待成為您的長(zhǎng)期合作伙伴！

• 上一條：5d壓敏電阻_東莞為勤5d壓敏電阻_源林電子
• 下一條：壓敏電阻器_270V壓敏電阻器_過(guò)壓保護(hù)|防雷(多圖)